Hydrofluoric acid etching of ultra thin silicon oxide film fabricated by high purity ozone

Ken Nakamura*, Akira Kurokawa, Shingo Ichimura

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抄録

Hydrofluoric acid etching indicates that ultra thin silicon dioxide film made by high purity ozone on Si(100) 2×1 between 300 and 700°C has the same film density as that of thermally grown silicon dioxide for device use on Si(100) at 750°C in a wet environment. Rate of oxide film growth > 6 Å on Si(100) 2 × 1 by ozone is, however, much lower at the substrate temperature between 300 and 500̊C than at 700̊C. This is indicating different kinetics and mechanism of oxide film growth > 6 Å by high purity ozone.

本文言語English
ページ(範囲)361-364
ページ数4
ジャーナルThin Solid Films
343-344
1-2
DOI
出版ステータスPublished - 1999
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
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