Hydrogen passivation and ozone oxidation of silicon surface

Akira Kurokawa*, Ken Nakamura, Shingo Ichimura

*この研究の対応する著者

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抄録

The oxidation of H/Si(100) and H/Si(111) with high concentration ozone gas was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The ozone oxidation of partially hydride-covered surface was observed. The hydrogen termination reduced the rate of oxygen insertion into silicon backbond. The reduction of oxygen insertion rate by the H-termination for H/Si(100) was larger than that for H/Si(111). The dissociation rate of ozone molecule on H/Si was estimated to be ≈0.2 with a directional mass analyzer.

本文言語English
ページ(範囲)37-42
ページ数6
ジャーナルMaterials Research Society Symposium - Proceedings
513
出版ステータスPublished - 1998 1 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1998 MRS Spring Meeting - San Francisco, CA, USA
継続期間: 1998 4 131998 4 17

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  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学
  • 材料力学
  • 機械工学

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