III-V/Si MOS Capacitor Mach-Zehnder Modulator with Low Temperature Sensitivity

Takuma Aihara, Takuro Fujii, Hiroshi Fukuda, Tatsurou Hiraki, Takaaki Kakitsuka, Shinji Matsuo, Koji Takeda, Tai Tsuchizawa

研究成果: Conference contribution

抄録

We demonstrate an ultra-high efficiency III-V/Si metal-oxide-semiconductor capacitor Mach-Zehnder modulator with low temperature sensitivity. The measured modulation efficiencies of the fabricated device are 0.08-0.11 Vcm in the C and L band at 25-80 degrees Celsius.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルGFP 2019 - Group IV Photonics
出版社IEEE Computer Society
ISBN(電子版)9781728109053
DOI
出版ステータスPublished - 2019 8
外部発表はい
イベント16th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2019 - Singapore, Singapore
継続期間: 2019 8 282019 8 30

出版物シリーズ

名前IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP
2019-August
ISSN(印刷版)1949-2081

Conference

Conference16th IEEE International Conference on Group IV Photonics, GFP 2019
国/地域Singapore
CitySingapore
Period19/8/2819/8/30

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • セラミックおよび複合材料
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「III-V/Si MOS Capacitor Mach-Zehnder Modulator with Low Temperature Sensitivity」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル