Impact of 0.10 μm SOI CMOS with body-tied hybrid trench isolation structure to break through the scaling crisis of silicon technology

Y. Hirano*, T. Matsumoto, S. Maeda, T. Iwamatsu, T. Kunikiyo, K. Nii, K. Yamamoto, Y. Yamaguchi, T. Ipposhi, S. Maegawa, M. Inuishi

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フィンガープリント

「Impact of 0.10 μm SOI CMOS with body-tied hybrid trench isolation structure to break through the scaling crisis of silicon technology」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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