Impact of high pressure dry O2 oxidation on sub-quarter micron planarized LOCOS

T. Yamashita, T. Kuroi, T. Uchida, S. Komori, K. Kobayashi, M. Inuishi, H. Miyoshi

研究成果: Conference article査読

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抄録

Recessed LOCOS isolation using high pressure dry O2 oxidation has been studied. The effect of the high pressure dry O2 oxidation on the bird's beak encroachment was clarified. This advanced LOCOS process was found to provide superior gate oxide integrity and junction characteristics. It meets the required isolation characteristics for 256 Mbit DRAM and beyond with maintaining the process simplicity.

本文言語English
ページ(範囲)821-824
ページ数4
ジャーナルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
出版ステータスPublished - 1996 12 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1996 IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA
継続期間: 1996 12 81996 12 11

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Impact of high pressure dry O<sub>2</sub> oxidation on sub-quarter micron planarized LOCOS」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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