InAsPSb/InAs diode laser emitting in the 2.5μm range

S. Akiba, Yuichi Matsushima, T. Iketani, M. Usami

研究成果: Article査読

17 被引用数 (Scopus)

抄録

A double heterostructure consisting of InAsPSb alloys was made by LPE-growth on InAs substrates. Lasing action was confirmed at 15-55 K, where the emission wavelength was 2.5-2.7 μm.

本文言語English
ページ(範囲)1069-1071
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
24
17
出版ステータスPublished - 1988 1 1
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「InAsPSb/InAs diode laser emitting in the 2.5μm range」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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