(In,Ga)As gated-vertical quantum dot with an Al2O3 insulator

T. Kita, D. Chiba, Y. Ohno, H. Ohno*

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抄録

The authors fabricated a gated-vertical (In,Ga)As quantum dot with an Al2 O3 gate insulator deposited using atomic layer deposition and investigated its electrical transport properties at low temperatures. The gate voltage dependence of the dIdV-V characteristics shows clear Coulomb diamonds at 1.1 K. The metal-insulator gate structure allowed the authors to control the number of electrons in the quantum dot from 0 to a large number estimated to be about 130.

本文言語English
論文番号062102
ジャーナルApplied Physics Letters
90
6
DOI
出版ステータスPublished - 2007
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

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