Linearity and low-noise performance of SOI MOSFETs for RF applications

A. O. Adan*, S. Shitara, N. Tanba, M. Fukumi, T. Yoshimasu

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抄録

The integration and performance of RF transistors and passive components in fully depleted silicon on insulator (FD-SOI) process for wireless applications is described. Simple integration was achieved by using high-resistivity substrates. High resistivity SOI enhance the RF performance of the on-chip inductors The RF noise figure (NF) and linearity were the critical parameters affected by the substrates.

本文言語English
ページ30-31
ページ数2
出版ステータスPublished - 2000 12月 1
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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

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