Local-field-enhancement model of DRAM retention failure

A. Hiraiwa, M. Ogasawara, N. Natsuaki, Y. Itoh, H. Iwai

研究成果: Conference contribution

43 被引用数 (Scopus)

抄録

We have developed the local-field-enhancement model of the tail component of DRAM (dynamic random access memory) retention-time distribution. The model is in excellent agreement with experiments and proposes to control not the number but the energy-level distribution of traps and to reduce the space-charge-region-field variation together with the field itself to increase the retention time.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルTechnical Digest - International Electron Devices Meeting
編集者 Anon
出版社IEEE
ページ157-160
ページ数4
出版ステータスPublished - 1998
外部発表はい
イベントProceedings of the 1998 IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA
継続期間: 1998 12 61998 12 9

Other

OtherProceedings of the 1998 IEEE International Electron Devices Meeting
CitySan Francisco, CA, USA
Period98/12/698/12/9

ASJC Scopus subject areas

  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「Local-field-enhancement model of DRAM retention failure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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