Low-temperature oxidation of silicon using UV-light-excited ozone

Aki Tosaka*, Tetsuya Nishiguchi, Hidehiko Nonaka, Shingo Ichimura

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抄録

An ultra low-temperature (<300°C) silicon oxidation process in which KrF excimer laser light (λ = 248 nm) is irradiated in highly concentrated ozone has been developed. The growth rate of SiO2 film was 5.2nm/10 min at 300°C and 3.6 nm/10 min at 70°C. The leakage current densities of grown at 70°C SiO2 in an electric field of over 8 MV/cm match well the calculated curve based on the Fowler-Nordheim tunneling. The oxidation mechanisms for two growth modes are discussed.

本文言語English
ページ(範囲)L1144-L1146
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
44
33-36
DOI
出版ステータスPublished - 2005 8 26
外部発表はい

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