Low-temperature processable organic-inorganic hybrid gate dielectrics for solution-based organic field-effect transistors

Takashi Nagase*, Takashi Hamada, Kenji Tomatsu, Saori Yamazaki, Takashi Kobayashi, Shuichi Murakami, Kimihiro Matsukawa, Hiroyoshi Naito

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抄録

Organic-inorganic hybrid poly(methyl silsesquioxane) with a low curing temperature of 150 °C synthesized by a sol-gel method is employed as a gate dielectric for solution-based organic field-effect transistors. The device exhibits mobility enhancement, compared with those with SiO2 dielectrics, and hysteresis-free, high stable operation, which is attributed to extremely low concentration of silanol groups of the poly(methyl silsesquioxane) dielectric.

本文言語English
ページ(範囲)4706-4710
ページ数5
ジャーナルAdvanced Materials
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DOI
出版ステータスPublished - 2010 11月 9
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「Low-temperature processable organic-inorganic hybrid gate dielectrics for solution-based organic field-effect transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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