Low-Threshold (3.2 mA per Element) 1.3 μm InGaAsP MQW Laser Array on a p-Type Substrate

S. Yamashita, A. Oka, T. Kawano, T. Tsuchiya, K. Saitoh, K. Uomi, Y. Ono

研究成果: Article査読

17 被引用数 (Scopus)

抄録

A low threshold 1.3 μm InGaAsP MQW laser array has been fabricated on a p-type InP substrate considering compatibility with n/p/n type laser-driver circuits. The laser has a p/n-type current-blocking structure and is made entirely by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). A 10-channel laser array with a threshold current as low as 3.2 + 0.2 mA (per element) and a slope efficiency of 0.27 ±0.01 W/A is obtained.

本文言語English
ページ(範囲)954-957
ページ数4
ジャーナルIEEE Photonics Technology Letters
4
9
DOI
出版ステータスPublished - 1992 9月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Low-Threshold (3.2 mA per Element) 1.3 μm InGaAsP MQW Laser Array on a p-Type Substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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