LPE growth of low doped n-type 4H-SiC layer on on-axis substrate for power device application

R. Hattori*, K. Kamei, K. Kusunoki, N. Yashiro, S. Shimosaki

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

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抄録

LPE (liquid phase epitaxy) growth of low nitrogen unintentionally doped SiC epitaxial layer on on-axis 4H-SiC substrate using nitrogen getter Si based solution was investigated to realize basal plane dislocation (BPD) free epitaxial layer. A significant reduction in BPD was demonstrated.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルMaterials Science Forum
ページ141-144
ページ数4
615 617
DOI
出版ステータスPublished - 2009
外部発表はい
イベント7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2008 - Barcelona, Spain
継続期間: 2008 9月 72008 9月 11

出版物シリーズ

名前Materials Science Forum
615 617
ISSN(印刷版)02555476

Other

Other7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2008
国/地域Spain
CityBarcelona
Period08/9/708/9/11

ASJC Scopus subject areas

  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学
  • 機械工学
  • 材料力学

フィンガープリント

「LPE growth of low doped n-type 4H-SiC layer on on-axis substrate for power device application」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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