MBE growth of device-Quality cubic GaN on atomically flat (001) GaAs prepared by atomic-Hydrogen treatment at high-Temperatures

A. Yoshikawa, Z. Qin, H. Nagano, Y. Sugure, A. Jia, M. Kobayashi, Y. Kato, K. Takahashi

研究成果: Article査読

3 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント 「MBE growth of device-Quality cubic GaN on atomically flat (001) GaAs prepared by atomic-Hydrogen treatment at high-Temperatures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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