MBE growth of GaN on MgO substrate

Ryotaro Suzuki*, Atsushi Kawaharazuka, Yoshiji Horikoshi

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抄録

We grow GaN on MgO substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE). It is revealed that hexagonal GaN grows on (1 1 1) MgO substrate and cubic GaN grows on (0 0 1) MgO substrate according to the symmetry of the substrates. Mixture of hexagonal phase into cubic GaN is found to be formed in the growth on (0 0 1) MgO, and is investigated by reciprocal space mapping. We obtained GaN epitaxial films with flat surface morphology and good crystalline quality on (1 1 1) MgO substrate.

本文言語English
ページ(範囲)478-481
ページ数4
ジャーナルJournal of Crystal Growth
301-302
SPEC. ISS.
DOI
出版ステータスPublished - 2007 4月

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  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

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