MECHANISM OF BIT LINE MODE SOFT ERROR FOR DRAM.

Mikio Asakura, Yoshio Matsuda, Katsuhiro Tsukamoto, Kazuyasu Fujishima, Tsutomu Yoshihara

研究成果: Chapter

2 被引用数 (Scopus)

抄録

This letter reports a charge collection experiment of alpha-particle-induced carriers in the cell arrays of the 1 Mb DRAM. It is indicated that this experiment is effective to estimate the soft error rate of VLSI memories with various kinds of structures.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルTransactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Section E (
ページ1060-1061
ページ数2
E70
11
出版ステータスPublished - 1987 11
外部発表はい
イベントPap from the 1987 Natl Conf on Semicond Devices and Mater IEICE - Kumamoto, Jpn
継続期間: 1987 11 11987 11 4

Other

OtherPap from the 1987 Natl Conf on Semicond Devices and Mater IEICE
CityKumamoto, Jpn
Period87/11/187/11/4

ASJC Scopus subject areas

  • Engineering(all)

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