Membrane InGaAsP Mach-Zehnder modulator with SiN:D waveguides on Si platform

Tatsurou Hiraki*, Takuma Aihara, Koji Takeda, Takuro Fujii, Takaaki Kakitsuka, Tai Tsuchizawa, Hiroshi Fukuda, Shinji Matsuo

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抄録

A high-efficiency InGaAsP Mach-Zehnder modulator is integrated with hydrogen-free deuterated silicon nitride (SiN:D) waveguide circuits on a Si substrate. A thin InP-based layer provides a high optical confinement factor of around 50% and enables easy optical coupling to the SiN:D waveguides, which are fabricated by a low-temperature backend process. The fabricated Mach-Zehnder modulator with a 300-μm-long phase shifter shows a VπL of 0.4 Vcm, insertion loss of ~4.5 dB, and an error-free operation for 40-Gbit/s non-return-to-zero signal.

本文言語English
ページ(範囲)18612-18619
ページ数8
ジャーナルOptics Express
27
13
DOI
出版ステータスPublished - 2019
外部発表はい

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  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

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