Mg-acceptor activation mechanism and transport characteristics in p-type InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Kazuhide Kumakura*, Toshiki Makimoto, Naoki Kobayashi

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抄録

A study was conducted on the magnesium (Mg)-acceptor activation mechanism and transport characteristics in a Mg-doped InGaN layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy. It was found that self-compensation occurred in Mg-doped InGaN at higher doping levels. The temperature dependence of the hole concentration in Mg-doped InGaN showed that the acceptor activation energy decreased with increasing mole fraction.

本文言語English
ページ(範囲)3370-3375
ページ数6
ジャーナルJournal of Applied Physics
93
6
DOI
出版ステータスPublished - 2003 3月 15
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(全般)

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