Modifying optical properties of InGaN quantum wells by a large piezoelectric polarization

H. Gotoh*, T. Tawara, Y. Kobayashi, N. Kobayashi, Y. Yamauchi, T. Makimoto, T. Saitoh

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference article査読

抄録

Piezoelectric effects on PL properties are clarified in InGaN quantum wells (QWs) of 1-10 nm wide at 17 K. An extremely large change in PL peak energy (up to 200 meV) and PL decay time (two orders of magnitude) are found in a 10 nm-wide QW with increasing excitation intensity. We compare the distinctive characteristics of the field effects with QCSE in GaAs QWs and discuss possible optical device functions.

本文言語English
ページ(範囲)1974-1977
ページ数4
ジャーナルPhysica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
3
DOI
出版ステータスPublished - 2006
外部発表はい
イベント6th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-6 - Bremen, Germany
継続期間: 2005 8月 282005 9月 2

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  • 凝縮系物理学

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「Modifying optical properties of InGaN quantum wells by a large piezoelectric polarization」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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