MOSFETs on polished surfaces of polycrystalline diamond

K. Kitatani, H. Umezawa, K. Tsugawa*, K. Ueyama, T. Ishikura, S. Yamashita, H. Kawarada

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抄録

MOSFETs on polished polycrystalline diamond surfaces have been fabricated. The best transconductance is 1.0mS/mm. The breakdown voltages of these FETs are over 200V, comparable to those reported in homoepitaxial diamond MESFETs. A polycrystalline diamond FET is a candidate for sensors in hard environment, due to its feasibility in large-area wafers.

本文言語English
ページ(範囲)1831-1833
ページ数3
ジャーナルDiamond and Related Materials
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DOI
出版ステータスPublished - 1999 10月

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
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フィンガープリント

「MOSFETs on polished surfaces of polycrystalline diamond」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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