Nanometer-scale switches using copper sulfide

T. Sakamoto*, H. Sunamura, H. Kawaura, T. Hasegawa, T. Nakayama, M. Aonob

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抄録

A discussion about the performance of a nanometer-scale switch that uses a copper sulfide film was presented. The nanometer-scale switch consists of a copper sulfide film, which was a chalcogenide semiconductor, sandwiched between copper and metal electrodes. It was found that these switches were advantageous for nan-volatile memory elements due to their simple structure, scalability and low voltage operations.

本文言語English
ページ(範囲)3032-3034
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
82
18
DOI
出版ステータスPublished - 2003 5月 5
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

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