New buried channel FLASH memory cell with symmetrical source/drain structure for 64Mbit or beyond

H. Oda, S. Ueno, M. Inuishi, N. Tsubouchi

研究成果: Conference article査読

1 被引用数 (Scopus)

抄録

Using the buried channel NMOSFET, the symmetrical source/drain structure for FLASH memory cell is developed. More channel hot electrons can be generated by using buried channel type NMOSFET, comparing with a conventional asymmetrical device. The result improved the injection efficiency of hot electrons, where high programming speed can be achieved.

本文言語English
ページ(範囲)69-70
ページ数2
ジャーナルDigest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology
出版ステータスPublished - 1994 12 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1994 Symposium on VLSI Technology - Honolulu, HI, USA
継続期間: 1994 6 71994 6 9

ASJC Scopus subject areas

  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「New buried channel FLASH memory cell with symmetrical source/drain structure for 64Mbit or beyond」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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