New CR-delay circuit technology for high-density and high-speed DRAMs

Yohji Watanabe*, Takashi Ohsawa, Kiyofumi Sakurai, Tohru Furuyama

*この研究の対応する著者

研究成果査読

1 被引用数 (Scopus)

抄録

A CR-delay circuit technology for the realization of high-speed operation with a wide operational margin and minimized timing loss is discussed. It was applied to a 4-Mb CMOS DRAM, and the experimental results are described. A significant reduction in access time and cycle time was achieved.

本文言語English
ページ75-76
ページ数2
出版ステータスPublished - 1988 12 1
外部発表はい
イベント1988 Symposium on VLSI Circuits - Digest of Technical Papers - Tokyo, Japan
継続期間: 1988 8 221988 8 24

Other

Other1988 Symposium on VLSI Circuits - Digest of Technical Papers
CityTokyo, Japan
Period88/8/2288/8/24

ASJC Scopus subject areas

  • 工学(全般)

フィンガープリント

「New CR-delay circuit technology for high-density and high-speed DRAMs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル