Nonvolatile memory effect of capacitance in polycrystalline spinel vanadate

H. Takei*, T. Suzuki, T. Katsufuji

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抄録

The authors found that capacitance of polycrystalline spinel Fe V2 O4 exhibits a magnetic-field dependence with hysteresis and takes two values at zero field depending on the direction of a small magnetic field (∼1000 G) applied prior to measurement. This behavior can be potentially used as a nonvolatile memory device in which the data are stored as a difference of capacitance through the change of magnetic-field directions.

本文言語English
論文番号072506
ジャーナルApplied Physics Letters
91
7
DOI
出版ステータスPublished - 2007

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  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「Nonvolatile memory effect of capacitance in polycrystalline spinel vanadate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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