Normally-Off Oxidized Si-Terminated (111) Diamond MOSFETs via ALD-Al2O3Gate Insulator With Drain Current Density Over 300 mA/mm

Yu Fu, Yuhao Chang, Xiaohua Zhu, Ruimin Xu, Yuehang Xu, Hiroshi Kawarada*

*この研究の対応する著者

研究成果: Article査読

フィンガープリント

「Normally-Off Oxidized Si-Terminated (111) Diamond MOSFETs via ALD-Al2O3Gate Insulator With Drain Current Density Over 300 mA/mm」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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