Novel double well with buffer N- and P+ gettering layers for suppression of soft error rate (DOWNSER)

S. Komori*, T. Yamashita, T. Kuroi, M. Inuishi, N. Tsubouchi

*この研究の対応する著者

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抄録

A novel double well with buffer n- and gettering layers structure for strong suppression of SER (DOWNSER) is briefly presented in this paper. The mechanisms for reduction of SER have been investigated by experimental and simulation studies. The buffer n- and the gettering layer in DOWNSER structure play the important role in cutting off the minority carrier generated from the incident alpha particle in the p-type region or the reverse biased junction.

本文言語English
ページ(範囲)41-42
ページ数2
ジャーナルDigest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology
出版ステータスPublished - 1994 12 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1994 Symposium on VLSI Technology - Honolulu, HI, USA
継続期間: 1994 6 71994 6 9

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Novel double well with buffer N<sup>-</sup> and P<sup>+</sup> gettering layers for suppression of soft error rate (DOWNSER)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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