O-band InAs/InGaAs quantum dot laser diode with sandwiched sub-nano separator (SSNS) structures

Naokatsu Yamamoto, Hiroki Fujioka, Kouichi Akahane, Redouane Katouf, Tetsuya Kawanishi, Hiroshi Takai, Hideyuki Sotobayashi

研究成果: Conference contribution

抄録

O-band InAs/InGaAs quantum-dot (QD) laser-diode has been successfully demonstrated by using sandwiched sub-nano separator (SSNS) structures on GaAs. Improvement of crystal-qualities and enhancement of luminescence intensities were attained for the QD laser by SSNS technique.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルInternational Quantum Electronics Conference, IQEC 2009
出版社Optical Society of America (OSA)
ISBN(印刷版)9781557528698
DOI
出版ステータスPublished - 2009
外部発表はい
イベントInternational Quantum Electronics Conference, IQEC 2009 - Baltimore, MD, United States
継続期間: 2009 5 312009 6 5

出版物シリーズ

名前Optics InfoBase Conference Papers
ISSN(電子版)2162-2701

Other

OtherInternational Quantum Electronics Conference, IQEC 2009
国/地域United States
CityBaltimore, MD
Period09/5/3109/6/5

ASJC Scopus subject areas

  • 器械工学
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「O-band InAs/InGaAs quantum dot laser diode with sandwiched sub-nano separator (SSNS) structures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル