Optical input power tolerance of InGaAsP electroabsorption modulator

Noriyoshi Hoshi*, Takashi Mitsuma, Hideaki Tanaka, Yuichi Matsushima

*この研究の対応する著者

研究成果: Chapter

抄録

We present long-term life tests of EA modulator modules under high optical input power over +10 dBm for the first time. The module tested under +13 dBm input with -10 V bias did not show any degradation over 3700 hrs. In addition, we discuss degradation mechanisms in modules tested over +15 dBm input with -10 V bias.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
出版社IEEE
ページ115-118
ページ数4
出版ステータスPublished - 1999
外部発表はい
イベントProceedings of the 1999 11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) - Davos, Switz
継続期間: 1999 5月 161999 5月 20

Other

OtherProceedings of the 1999 11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)
CityDavos, Switz
Period99/5/1699/5/20

ASJC Scopus subject areas

  • 材料科学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Optical input power tolerance of InGaAsP electroabsorption modulator」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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