Over 57% efficiency C-band GaN HEMT high power amplifier with internal harmonic manipulation circuits

H. Otsuka*, K. Yamanaka, H. Noto, Y. Tsuyama, S. Chaki, A. Inoue, M. Miyazaki

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

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抄録

In this paper, a high efficiency C-band GaN HEMT high power amplifier with internal harmonic manipulation circuits is presented. We employed a new circuit topology for simultaneous high efficiency matching at both fundamental and 2nd-harmonic frequencies. The developed GaN HEMT amplifier has achieved over 57% drain efficiency (50% power-added-efficiency) with 100W output power at C-band. This is the state-of-the-art efficiency of GaN HEMT high power amplifier at C-band to the best of our knowledge.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, MTT
ページ311-314
ページ数4
DOI
出版ステータスPublished - 2008
外部発表はい
イベント2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, MTT - Atlanta, GA, United States
継続期間: 2008 6月 152008 6月 20

出版物シリーズ

名前IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
ISSN(印刷版)0149-645X

Conference

Conference2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, MTT
国/地域United States
CityAtlanta, GA
Period08/6/1508/6/20

ASJC Scopus subject areas

  • 放射線
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Over 57% efficiency C-band GaN HEMT high power amplifier with internal harmonic manipulation circuits」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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