Photoemission spectroscopy of Ta 2NiSe 5

Y. Wakisaka*, T. Sudayama, K. Takubo, T. Mizokawa, N. L. Saini, M. Arita, H. Namatame, M. Taniguchi, N. Katayama, M. Nohara, H. Takagi

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抄録

We report temperature-dependent angle-resolved photoemission spectroscopy measurement of Ta 2NiSe 5 which shows a semiconductor- semiconductor structural phase transition at around 330 K. Characteristically, flat band at the top of the valence band is observed, which is ascribed to the excitonic insulator effect. The top valence band shifts to higher binding energy and its bandwidth increases as the temperature decreases. As the system exceeds the transition temperature, the flat feature of the valence band weakens though the exciton fluctuations remain finite.

本文言語English
ページ(範囲)1231-1234
ページ数4
ジャーナルJournal of Superconductivity and Novel Magnetism
25
5
DOI
出版ステータスPublished - 2012 7
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学

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「Photoemission spectroscopy of Ta <sub>2</sub>NiSe <sub>5</sub>」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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