Picosecond characterization of InGaAs/InAlAs resonant tunneling barriers grown by MBE

Shunichi Muto*, Atsushi Tackeuchi, Tsuguo Inata, Eizo Miyauchi, Toshio Fujii

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研究成果: Article査読

抄録

We observed the dynamic response of InGaAs/InAlAs resonant tunneling barrier diodes using electro-optic sampling. We simulated the observed waveforms using an equivalent circuit model to evaluate the negative differential resistance of the diodes. We showed that the RC time constant of the diode in the negative differential resistance region is reduced by lowering the doping concentration in the barrier's emitter layer. Also, a femtosecond RC is estimated for an InGaAs/AlAs resonant tunneling barrier with a high peak current density of 105A/cm2.

本文言語English
ページ(範囲)370-372
ページ数3
ジャーナルSurface Science
228
1-3
DOI
出版ステータスPublished - 1990 4 1
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
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「Picosecond characterization of InGaAs/InAlAs resonant tunneling barriers grown by MBE」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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