Properties of (111) diamond homoepitaxial layer and its application to field-effect transistor

Makoto Kasu*, Michal Kubovic, Aleksandar Aleksov, Nikolai Teofilov, Rolf Sauer, Erhard Kohn, Toshiki Makimoto

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抄録

The (111)-oriented chemical-vapor-deposited diamond homoepitaxial layers with low defect density exhibited well-resolved free-exciton transitions in cathodoluminescence at 13 K and a sharp peak at 1332 cm -1 (linewidth: 1.9 cm -1) in Raman scattering. Furthermore, using these (111) layers, we fabricated metal-semiconductor field-effect transistors (FETs). FETs with an 11-μm-long gate exhibited a maximum drain current of 24 mA/mm and maximum transconductance of 14 mS/mm. These values are of the same order as those for the (001) orientation.

本文言語English
ページ(範囲)L975-L977
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
43
7 B
DOI
出版ステータスPublished - 2004 7月 15
外部発表はい

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フィンガープリント

「Properties of (111) diamond homoepitaxial layer and its application to field-effect transistor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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