Quantitative analysis of radiation induced Si/SiO2 interface defects by means of MeV He single ion irradiation

Meishoku Koh*, Bungo Shigeta, Kai Igarashi, Takashi Matsukawa, Takashi Tanii, Shigetaka Mori, Iwao Ohdomari

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研究成果: Article査読

フィンガープリント

「Quantitative analysis of radiation induced Si/SiO2 interface defects by means of MeV He single ion irradiation」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy