Quantum transport through a disordered array of Ge-vacancy defects in silicon for application in quantum technologies

Simona Achilli*, Nguyen H. Le, Guido Fratesi, Nicola Manini, Giovanni Onida, Marco Turchetti, Giorgio Ferrari, Takahiro Shinada, Takashi Tanii, Enrico Prati

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

抄録

We demonstrate the possibility to functionalize silicon vacancies through single ion implantation of Ge atoms, forming stable GeV complexes, to achieve position control of the defects and electronic properties suitable for room temperature operations. The quantum transport-measurements, supported by theoretical calculations, evidences differences compared to conventional dopants, concerning the effect of disorder and temperature on the conductivity.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2021 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(電子版)9784863487819
DOI
出版ステータスPublished - 2021
イベント26th Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021 - Virtual, Online, Japan
継続期間: 2021 6月 13 → …

出版物シリーズ

名前2021 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021

Conference

Conference26th Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021
国/地域Japan
CityVirtual, Online
Period21/6/13 → …

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 安全性、リスク、信頼性、品質管理
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • ハードウェアとアーキテクチャ

フィンガープリント

「Quantum transport through a disordered array of Ge-vacancy defects in silicon for application in quantum technologies」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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