Rashba effect of bismuth thin film on silicon studied by spin-resolved ARPES

A. Takayama*, T. Sato, S. Souma, T. Takahashi

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抄録

We report high-resolution spin- and angle-resolved photoemission spectroscopy of bismuth thin film on Si(1 1 1) to discuss the spin structure of surface states. We found that, unlike conventional picture of the Rashba splitting, the magnitude of the in-plane spin polarization is asymmetric between two hole pockets across the Brillouin-zone center. In addition, these pockets exhibit a giant out-of-plane spin polarization as large as the in-plane counterpart, which changes the sign across the Γ¯.

本文言語English
ページ(範囲)105-109
ページ数5
ジャーナルJournal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
201
DOI
出版ステータスPublished - 2015 5月 1
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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
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「Rashba effect of bismuth thin film on silicon studied by spin-resolved ARPES」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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