Reliability of 2DEG Diamond FET by Harsh-Continuous Stress Voltage Approach

N. M. Nashaain*, S. Falina, Y. Kitabayashi, D. Matsumura, A. A. Manaf, Z. Hassan, M. Syamsul, H. Kawarada

*この研究の対応する著者

研究成果

抄録

In this paper, a simple and time effective reliability stress measurement is done by continuous breakdown cycle method and continuous cycles of stress method under varying voltages. We apply this approach on transparent polycrystalline diamond FET for two different thickness of Al2O3 namely 400nm and 600nm as counter destructive passivation layer

本文言語English
ホスト出版物のタイトル4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(電子版)9781728125381
DOI
出版ステータスPublished - 2020 4
イベント4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Penang, Malaysia
継続期間: 2020 4 62020 4 21

出版物シリーズ

名前4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings

Conference

Conference4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020
国/地域Malaysia
CityPenang
Period20/4/620/4/21

ASJC Scopus subject areas

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 電子工学および電気工学
  • 産業および生産工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Reliability of 2DEG Diamond FET by Harsh-Continuous Stress Voltage Approach」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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