RF and DC characteristics in Al 2O 3/Si 3N 4 insulated-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with regrown ohmic structure

Narihiko Maeda*, Takashi Makimura, Takashi Maruyama, Chengxin Wang, Masanobu Hiroki, Haruki Yokoyama, Toshiki Makimoto, Takashi Kobayashi, Takatomo Enoki

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フィンガープリント

「RF and DC characteristics in Al 2O 3/Si 3N 4 insulated-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with regrown ohmic structure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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