RF Performance of Diamond Surface-Channel Field-Effect Transistors

Hitoshi Umezawa*, Shingo Miyamoto, Hiroki Matsudaira, Hiroaki Ishizaka, Kwang Soup Song, Minoru Tachiki, Hiroshi Kawarada

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抄録

RF diamond FETs have been realized on a hydrogen-terminated diamond surface conductive layer. By utilizing the self-aligned gate fabrication process which is effective for the reduction of the parasitic resistance, the transconductance of diamond FETs has been greatly improved. Consequently, the high frequency operation of 22 GHz has been realized in 0.2 μm gate diamond MISFETs with a CaF2 gate insulator. This value is the highest in diamond FETs and is comparable to the maximum value of SiC MESFETs at present.

本文言語English
ページ(範囲)1949-1954
ページ数6
ジャーナルIEICE Transactions on Electronics
E86-C
10
出版ステータスPublished - 2003 10

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「RF Performance of Diamond Surface-Channel Field-Effect Transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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