ROOM TEMPERATURE C. W. OPERATION OF InGaAsP/InP HETEROSTRUCTURE LASERS EMITTING AT 1. 56 mu m.

S. Akiba, K. Sakai, Yuichi Matsushima, T. Yamamoto

研究成果: Article査読

41 被引用数 (Scopus)

抄録

Room-temperature cw operation of InGaAsP/InP heterostructure lasers grown by liquid-phase epitaxy was achieved at 1. 56 mu m. An active InGaAsP layer was essentially sandwiched by InP, though a thin InGaAsP buffer layer was deposited to prevent the melt-back of the active layer. Threshold current was typically 300 ma for a 17 mu m wide oxide-defined stripe laser.

本文言語English
ページ(範囲)606-607
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
15
19
出版ステータスPublished - 1979 1 1
外部発表はい

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  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「ROOM TEMPERATURE C. W. OPERATION OF InGaAsP/InP HETEROSTRUCTURE LASERS EMITTING AT 1. 56 mu m.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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