Sharp photoluminescence lines from nitrogen atomic-layer-doped GaAs

Toshiki Makimoto*, Naoki Kobayashi

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抄録

We performed nitrogen atomic-layer doping into GaAs grown by molecular beam epitaxy using nitrogen molecules (N2) cracked by a hot tungsten filament. While uniformly nitrogen-doped GaAs layers show relatively weak nitrogen-related photoluminescence lines, nitrogen atomic-layer-doped GaAs layers show a series of sharp and strong photoluminescence lines. The dominant photoluminescence line was observed at 1.4437 eV, where an exciton bound to the nitrogen isotropic traps has the highest binding energy.

本文言語English
ページ(範囲)688
ページ数1
ジャーナルApplied Physics Letters
67
DOI
出版ステータスPublished - 1995
外部発表はい

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  • 物理学および天文学(その他)

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