Single chip RF-CMOS front end LSI for GSM handy phone

Yasunori Miyahara, Shunji Kawaguchi, Shoichi Shimizu, Nobuyuki Itoh, Kazuhiro Kato

研究成果: Conference article査読

抄録

A 900MHz CMOS handy phone LSI is described. Three special RF-CMOS circuit technologies, fully integrated 900MHz VCO with spiral inductor and vari-cap diode, new IF local frequency circuit, and effective image rejection system, are introduced.

本文言語English
ページ(範囲)320-321
ページ数2
ジャーナルDigest of Technical Papers - IEEE International Conference on Consumer Electronics
出版ステータスPublished - 1999
外部発表はい
イベントProceedings of the 1999 IEEE International Conference on Consumer Electronics, ICCE'99 - Los Angeles, CA, USA
継続期間: 1999 6 221999 6 24

ASJC Scopus subject areas

  • Industrial and Manufacturing Engineering
  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「Single chip RF-CMOS front end LSI for GSM handy phone」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル