Single Ion implanted silicon devices towards few photons emission regime for space quantum communications

Enrico Prati, Takahiro Shinada, Takashi Tanii

研究成果: Conference contribution

抄録

Employment of erbium in silicon devices suffers of difficulties preventing to act as reliable photon source. We review the convergence between single ion implantation and few photon emission regime at room temperature at 1550 nm.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルQuantum 2.0, QUANTUM 2020
出版社The Optical Society
ISBN(電子版)9781557528209
出版ステータスPublished - 2020
イベントOSA Quantum 2.0 Conference, QUANTUM 2020 - Virtual, Online, United States
継続期間: 2020 9月 142020 9月 17

出版物シリーズ

名前Optics InfoBase Conference Papers

Conference

ConferenceOSA Quantum 2.0 Conference, QUANTUM 2020
国/地域United States
CityVirtual, Online
Period20/9/1420/9/17

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 材料力学

フィンガープリント

「Single Ion implanted silicon devices towards few photons emission regime for space quantum communications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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