SOFT ERROR IN MOS DYNAMIC RAM.

Tsutomu Yoshihara, Satoshi Takano, Takao Nakano

研究成果: Article

抜粋

Analytical and experimental studies are conducted on the soft errors of 64-Kbit dynamic RAMs. First, the relation between the device parameters and the critical charge is examined. If the charge distribution collected in the silicon substrate is Gaussian, the soft error rate is expressed as a complementary error function of the critical charge.

元の言語English
ページ(範囲)87-93
ページ数7
ジャーナルElectronics & communications in Japan
64
発行部数8
出版物ステータスPublished - 1981 8
外部発表Yes

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  • Engineering(all)

フィンガープリント SOFT ERROR IN MOS DYNAMIC RAM.' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

  • これを引用

    Yoshihara, T., Takano, S., & Nakano, T. (1981). SOFT ERROR IN MOS DYNAMIC RAM. Electronics & communications in Japan, 64(8), 87-93.