SOFT ERROR IN MOS DYNAMIC RAM.

Tsutomu Yoshihara, Satoshi Takano, Takao Nakano

研究成果: Article査読

抄録

Analytical and experimental studies are conducted on the soft errors of 64-Kbit dynamic RAMs. First, the relation between the device parameters and the critical charge is examined. If the charge distribution collected in the silicon substrate is Gaussian, the soft error rate is expressed as a complementary error function of the critical charge.

本文言語English
ページ(範囲)87-93
ページ数7
ジャーナルElectronics & communications in Japan
64
8
出版ステータスPublished - 1981 8
外部発表はい

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フィンガープリント 「SOFT ERROR IN MOS DYNAMIC RAM.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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