Solution-processed fabrication of single-walled carbon nanotube field effect transistors

M. Shiraishi*, T. Takenobu, Y. Iwasa, T. Iwai, H. Kataura, M. Ata

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抄録

We report the fabrication of thin film SWNT-FETs using a novel and simple solution process methodology. The SWNTs are dispersed in an organic solution in a narrow bundle structure and form nonaligned arrays which become the channels of FETs. The thin film FETs operate even at low temperature, and have the mobility that is about 100 times greater than those of other solution-processed organic thin film FETs. This simple fabrication process will help develop a novel route for the large-scale liquid phase production of commercially available flexible organic devices.

本文言語English
ページ(範囲)485-489
ページ数5
ジャーナルFullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures
13
SUPPL. 1
DOI
出版ステータスPublished - 2005
外部発表はい

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  • 物理化学および理論化学
  • 材料科学(全般)
  • 原子分子物理学および光学

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「Solution-processed fabrication of single-walled carbon nanotube field effect transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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