Spin injection from Fe3Si into GaAs

A. Kawaharazuka*, M. Ramsteiner, J. Herfort, H. P. Schönherr, H. Kostial, K. H. Ploog

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抄録

We demonstrate room-temperature spin injection from the epitaxially grown ferromagnetic metal Fe3Si into the semiconductor GaAs. The injection efficiency is comparable to values previously obtained for the Fe/GaAs and MnAs/GaAs hybrid systems using the emission of similar (In,Ga)As/GaAs light-emitting diodes for the detection of spin polarization. The temperature dependence of the detected polarization is explained by taking into account spin relaxation inside the semiconductor device.

本文言語English
ページ(範囲)3492-3494
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
85
16
DOI
出版ステータスPublished - 2004 10 18

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  • 物理学および天文学(その他)

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「Spin injection from Fe<sub>3</sub>Si into GaAs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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