Stacking fault formation in highly nitrogen-doped 4H-SiC substrates with different surface preparation conditions

M. Katsuno*, M. Nakabayashi, T. Fujimoto, N. Ohtani, H. Yashiro, H. Tsuge, T. Aigo, T. Hoshino, K. Tatsumi

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

9 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Stacking fault formation in highly nitrogen-doped 4H-SiC substrates with different surface preparation conditions」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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