Structure and distribution of secondary defects in high energy ion implanted 4H-SiC

Toshiyuki Ohno*, Naoto Kobayashi

*この研究の対応する著者

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フィンガープリント

「Structure and distribution of secondary defects in high energy ion implanted 4H-SiC」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy