Study of tunneling time in tunneling BI‐quantum‐well and resonant tuneling barrier structures

Yoshihiro Sugiyama*, Tsuguo Inata, Atsushi Tackeuchi, Yoshiaki Nakata, Satoshi Nakamura, Shunichi Muto

*この研究の対応する著者

研究成果: Article査読

抄録

We studied the electron tunneling time in tunneling bi‐quantum‐well and resonant tunneling burrier structures with a pump‐probe photo‐luminescence system using optical mixing. The tunneling time decreased as the temperature increased, which is attributed to electrons in an exciton state thermalizing into free electrons having a faster tunneling time. © 1994 John Wiley & Sons, Inc.

本文言語English
ページ(範囲)85-88
ページ数4
ジャーナルMicrowave and Optical Technology Letters
7
3
DOI
出版ステータスPublished - 1994 2 20
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学
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「Study of tunneling time in tunneling BI‐quantum‐well and resonant tuneling barrier structures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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