Subband structure of two-dimensional electrons at double silicon-doped atomic layers in GaAs

G. Kido*, S. Yamada, T. Makimoto

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抄録

Longitudinal and transverse magnetoresistance experiments were carried out on GaAs with two impurity-doped planes in steady high magnetic fields up to 30 T. A large oscillation was observed in the field range higher than 10 T. The double Si-doped planes behave as a single well even for 15 nm separation of the atomic planes.

本文言語English
ページ(範囲)433-436
ページ数4
ジャーナルPhysica B: Physics of Condensed Matter
177
1-4
DOI
出版ステータスPublished - 1992 3 2
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Subband structure of two-dimensional electrons at double silicon-doped atomic layers in GaAs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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